SiGeとは、シリコンに対し少量のゲルマニウムが添加された半導体素材。純粋なシリコンよりも電導性が高く、SiGe製の半導体はシリコン半導体よりも消費電圧が小さく、ノイズも小さい。 ゲルマニウム(Ge)はトランジスタが発明されたときに使われていた素材であり、当時「半導体に適した物質」と言われていたが、工業的な処理のしやすさから、その後はシリコン(Si)が半導体素材の主流となった。 しかし、近年、シリコンとゲルマニウムを組み合わせたSiGe半導体が開発され、これを応用したトランジスタは消費電力が少なく、より高速で動作し、ノイズも少ないことがわかった。こうした特性は、移動体通信端末などで大容量のデータを高速に送受信?処理するのに適しており、無線通信チップで広く利用されるようになった。
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